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氮化镓器件技术应用现状及趋势

报告作者：冯园园张洁雪

所属图书：集成电路产业发展报告（2018～2019）

图书作者：尹丽波

出版时间：2019年06月

报告字数：9181 字

报告页数：12 页

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摘要

氮化镓（GaN）材料是宽禁带材料的一种，适于制造高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子器件等，在军民两用领域均有巨大的应用前景。经过自21世纪以来美国等国家的持续推动，GaN器件和工艺技术快速成熟，产品大量上市，并已用于多个在研武器中。GaN器件已在性能、尺寸、可靠性和成本间取得平衡，并开始逐步替代市场上成熟的砷化镓（GaAs）和硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，市场前景极其广阔。

关键词：氮化镓功率器件抗辐射

作者简介

冯园园： 冯园园，国家工业信息安全发展研究中心（工业和信息化部电子第一研究所）高级工程师，研究方向为集成电路、半导体、军用电子元器件等。

张洁雪： 张洁雪，国家工业信息安全发展研究中心（工业和信息化部电子第一研究所）工程师，研究方向为人工智能、信息服务等。

氮化镓器件技术应用现状及趋势

摘要

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